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日本进口高纯度Mn3O4磁粉

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详细说明

    高纯度Mn

Mn是一种脆性材料,在靶材的加工上非常困难。我们通过*合适的生产条件,实现了高纯度Mn靶材的生产。

Mn合金

我们通过烧结,熔化工序对有望成为一种新的磁性层材料的Mn合金靶材进行生产。大多数Mn合金是易碎的,因此通常是通过烧结工序进行生产。此外,由于可作为磁性层进行使用,我们收到了许多关于低氧含量产品和靶材大型化的要求。

为了满足这些要求,以供应各种熔融制靶材为目标,我们不断地进行各种挑战。

Mn合金:MnxGa100-x (55≦x≦75)

Mn合金作为一种不含稀有金属以及稀土的磁性材料,近年来引起了人们的广泛关注,我们可以对大型的熔制靶材进行供应。







Co合金

Co合金是用于各种磁性器件的材料。以Co-Fe-B靶材为首,我们拥有生产各种组成的Co合金靶材的实绩。

例如:Co-Fe, Co-Fe-α, Co-Ni, Co-Zr-Nb, Co-Zr-Nb-Ta等



熔融制Co基纯赫斯勒合金

纯赫斯勒合金X2YZ是一种有望应用于磁共振成像(MARM)以及磁传感器等磁性器件的材料。我们一直以来对烧结靶材进行了供应,但由于『靶材与薄膜间的成分偏差』等原因使其应用范围受到了限制。此外,由于应用于磁性层,顾客们大多数希望购买到低氧含量的产品。

熔制靶材有望解决与烧结靶材有关的问题。

























其他合金 Co-Fe-B

Co-Fe-B是一种脆性材料,大多数情况下通过烧结工序进行加工。我们通过熔融法确立了低氧化技术,并且运用高纯度化技术实现了高纯度靶材的加工生产。

Co-Fe-B的构成比以及添加第4元素构成Co-Fe-B-α等,根据客户的需求可进行任意订制。













MgO靶材

MgO是下一代HDD介质的模板层,TMR磁头以及磁性存储器(如MRAM)中不可缺少的功能性材料。

早在2002年,我们就开始开发和生产适合TMR元件的溅射靶,并一直提供具有“高纯度”、“高密度”和“低颗粒”特征的MgO靶材。



MgO靶材・镜面研磨品















熔融制低氧化Ir-Mn靶材

Ir-Mn*大的特点在于它的非挥发性以及可进行无限的重写, 是一种被用作为反铁磁层的非易失性磁性存储器(MRAM)。我们确立了熔融制靶材的生产方法并对其实现了低氧化。

与一般所使用的烧结制靶材相比,可防止氧气对其它构造层产生的影响。





背板的生产

基于我们多年来在溅射靶及其键合方面所取得的技术,我们能够制造出满足任何要求的背板。我们的背板(接合靶材所使用的背板)可根据客户的用途,对以无氧铜为首的各种铜合金,铁,不锈钢,铝,铝合金,钼以及钛进行严格的筛选。此外,我们还将万全地处理上述

 
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